DMG6602SVTQ-7
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| Numero parte | DMG6602SVTQ-7 |
| PNEDA Part # | DMG6602SVTQ-7 |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 30V TSOT26 |
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 148.848 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida) |
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DMG6602SVTQ-7 Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DMG6602SVTQ-7 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
DMG6602SVTQ-7, DMG6602SVTQ-7 Datasheet
(Totale pagine: 10, Dimensioni: 395,66 KB)
  
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DMG6602SVTQ-7 Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.4A, 2.8A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 3.1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 15V |
| Potenza - Max | 840mW |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TSOT-26 |
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