MC33153DR2G
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| Numero parte | MC33153DR2G |
| PNEDA Part # | MC33153DR2G |
| Descrizione | IC DRIVER GATE SINGLE IGBT 8SOIC |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 22.812 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 2 - mag 7 (Scegli Spedizione rapida) |
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MC33153DR2G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MC33153DR2G |
| Categoria | Semiconduttori › CI di gestione dell'alimentazione › PMIC - Gate driver |
| Datasheet |
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MC33153DR2G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Configurazione guidata | Low-Side |
| Tipo di canale | Single |
| Numero di driver | 1 |
| Tipo di porta | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Tensione - Alimentazione | 11V ~ 20V |
| Tensione logica - VIL, VIH | 1.2V, 3.2V |
| Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) | 1A, 2A |
| Tipo di ingresso | Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | - |
| Tempo di salita / discesa (tipico) | 17ns, 17ns |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
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Produttore Linear Technology/Analog Devices Serie - Configurazione guidata High-Side or Low-Side Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 13.2V Tensione logica - VIL, VIH 1.7V, 2.2V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 1.5A, 1.5A Tipo di ingresso Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Tempo di salita / discesa (tipico) 16ns, 16ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
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Produttore Linear Technology/Analog Devices Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Synchronous Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 4V ~ 6.5V Tensione logica - VIL, VIH 2.5V, 3V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 3.2A, 3.2A Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 42V Tempo di salita / discesa (tipico) 8ns, 7ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 12-WFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 12-DFN (3x3) |
Produttore Infineon Technologies Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 10V ~ 20V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.9V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 200mA, 350mA Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Tempo di salita / discesa (tipico) 150ns, 50ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 8-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 8-PDIP |
