J110,126
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| Numero parte | J110,126 |
| PNEDA Part # | J110-126 |
| Descrizione | JFET N-CH 25V 0.4W SOT54 |
| Produttore | NXP |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.070 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida) |
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J110 Risorse
| Brand | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | J110,126 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - JFET |
| Datasheet |
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J110 Specifiche
| Produttore | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | 25V |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 25V |
| Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 10mA @ 5V |
| Corrente assorbita (Id) - Max | - |
| Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id | 4V @ 1µA |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 30pF @ 0V |
| Resistenza - RDS (On) | 18 Ohms |
| Potenza - Max | 400mW |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET P-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 40V Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 1mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 750mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7pF @ 15V Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max 225mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236) |
