J110 Datasheet
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Produttore NXP USA Inc. Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 25V Tensione Drain to Source (Vdss) 25V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 10mA @ 5V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 4V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 30pF @ 0V Resistenza - RDS (On) 18 Ohms Potenza - Max 400mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
Produttore NXP USA Inc. Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 25V Tensione Drain to Source (Vdss) 25V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 80mA @ 5V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 10V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 30pF @ 0V Resistenza - RDS (On) 8 Ohms Potenza - Max 400mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
Produttore NXP USA Inc. Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 25V Tensione Drain to Source (Vdss) 25V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 80mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 2V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 30pF @ 10V (VGS) Resistenza - RDS (On) 12 Ohms Potenza - Max 400mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
