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IXYH82N120C3

IXYH82N120C3

Solo per riferimento

Numero parte IXYH82N120C3
PNEDA Part # IXYH82N120C3
Descrizione IGBT 1200V 200A 1250W TO247AD
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.548
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXYH82N120C3 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXYH82N120C3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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IXYH82N120C3 Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieGenX3™, XPT™
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)200A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)380A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.2V @ 15V, 82A
Potenza - Max1250W
Switching Energy4.95mJ (on), 2.78mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge215nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C29ns/192ns
Condizione di test600V, 80A, 2Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247 (IXYH)

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

Potenza - Max

257W

Switching Energy

890µJ (on), 440µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

171nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

85ns/174ns

Condizione di test

400V, 40A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

77ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247

RGT8NS65DGTL

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

8A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

12A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 4A

Potenza - Max

65W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

13.5nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

17ns/69ns

Condizione di test

400V, 4A, 50Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

40ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

LPDS (TO-263S)

ISL9V3040S3S

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

EcoSPARK®

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

430V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

21A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 4V, 6A

Potenza - Max

150W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Logic

Gate Charge

17nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-/4.8µs

Condizione di test

300V, 1kOhm, 5V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263AB

Produttore

IXYS

Serie

XPT™, GenX3™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

120A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 36A

Potenza - Max

600W

Switching Energy

670µJ (on), 1.2mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

70nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

27ns/150ns

Condizione di test

360V, 36A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

40ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Gate Charge

45nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

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Condizione di test

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Tempo di recupero inverso (trr)

140ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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