RGT8NS65DGTL
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| Numero parte | RGT8NS65DGTL |
| PNEDA Part # | RGT8NS65DGTL |
| Descrizione | IGBT 650V 8A 65W TO-263S |
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.640 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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RGT8NS65DGTL Risorse
| Brand | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | RGT8NS65DGTL |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
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RGT8NS65DGTL Specifiche
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 650V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 8A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 12A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 4A |
| Potenza - Max | 65W |
| Switching Energy | - |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 13.5nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 17ns/69ns |
| Condizione di test | 400V, 4A, 50Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 40ns |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | LPDS (TO-263S) |
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