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IXTV03N400S

IXTV03N400S

Solo per riferimento

Numero parte IXTV03N400S
PNEDA Part # IXTV03N400S
Descrizione MOSFET N-CH 4000V .3A PLUS 220
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.400
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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IXTV03N400S Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXTV03N400S
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IXTV03N400S, IXTV03N400S Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 187,41 KB)
PDFIXTV03N400S Datasheet Copertura
IXTV03N400S Datasheet Pagina 2 IXTV03N400S Datasheet Pagina 3 IXTV03N400S Datasheet Pagina 4

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IXTV03N400S Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)4000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C300mA (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs290Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16.3nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds435pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)130W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePLUS-220SMD
Pacchetto / CustodiaPLUS-220SMD

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Produttore

IXYS

Serie

HiPerFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

850V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

14A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

550mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1043pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

38W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

IRF5803D2PBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

FETKY™

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.4A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

112mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

37nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1110pF @ 25V

Funzione FET

Schottky Diode (Isolated)

Dissipazione di potenza (max)

2W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IPZ65R065C7XKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ C7

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

33A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 17.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 850µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

64nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3020pF @ 400V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

171W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO247-4

Pacchetto / Custodia

TO-247-4

BUK9M23-80EX

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

37A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 5V

Vgs (massimo)

±10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2808pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

79W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

LFPAK33

Pacchetto / Custodia

SOT-1210, 8-LFPAK33

AUIRFSL8409

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

195A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

450nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

14240pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

375W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-262

Pacchetto / Custodia

TO-262-3 Short Leads, I²Pak

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