IRF5803D2PBF
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Numero parte | IRF5803D2PBF |
PNEDA Part # | IRF5803D2PBF |
Descrizione | MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC |
Produttore | Infineon Technologies |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 6.066 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | nov 3 - nov 8 (Scegli Spedizione rapida) |
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IRF5803D2PBF Risorse
Brand | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | IRF5803D2PBF |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
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IRF5803D2PBF Specifiche
Produttore | Infineon Technologies |
Serie | FETKY™ |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.4A (Ta) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 112mOhm @ 3.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1110pF @ 25V |
Funzione FET | Schottky Diode (Isolated) |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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