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IXSH30N60B2D1

IXSH30N60B2D1

Solo per riferimento

Numero parte IXSH30N60B2D1
PNEDA Part # IXSH30N60B2D1
Descrizione IGBT 600V 48A 250W TO247
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.942
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 8 - giu 13 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXSH30N60B2D1 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXSH30N60B2D1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXSH30N60B2D1, IXSH30N60B2D1 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 516,77 KB)
PDFIXST30N60B2D1 Datasheet Copertura
IXST30N60B2D1 Datasheet Pagina 2 IXST30N60B2D1 Datasheet Pagina 3 IXST30N60B2D1 Datasheet Pagina 4 IXST30N60B2D1 Datasheet Pagina 5 IXST30N60B2D1 Datasheet Pagina 6

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IXSH30N60B2D1 Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Tipo IGBTPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)48A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)90A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 24A
Potenza - Max250W
Switching Energy550µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge50nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C30ns/130ns
Condizione di test400V, 24A, 5Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)30ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247AD (IXSH)

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo IGBT

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 60A

Potenza - Max

416W

Switching Energy

2.1mJ (on), 1.13mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

375nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

27ns/252ns

Condizione di test

400V, 60A, 6Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

143ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO247-3

SGP10N60AXKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 10A

Potenza - Max

92W

Switching Energy

320µJ

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

52nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

28ns/178ns

Condizione di test

400V, 10A, 25Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220-3

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Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

10A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 5A

Potenza - Max

29.4W

Switching Energy

130µJ (on), 60µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

11nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

30ns/40ns

Condizione di test

300V, 5A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

100ns

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252

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Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

32A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 20A

Potenza - Max

140W

Switching Energy

900µJ (on), 400µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

70nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

300V, 20A, 22Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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-

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Gate Charge

275nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

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Condizione di test

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Tempo di recupero inverso (trr)

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Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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