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IXBX75N170A

IXBX75N170A

Solo per riferimento

Numero parte IXBX75N170A
PNEDA Part # IXBX75N170A
Descrizione IGBT 1700V 110A 1040W PLUS247
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.250
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 31 - giu 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXBX75N170A Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXBX75N170A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXBX75N170A, IXBX75N170A Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 184,31 KB)
PDFIXBX75N170A Datasheet Copertura
IXBX75N170A Datasheet Pagina 2 IXBX75N170A Datasheet Pagina 3 IXBX75N170A Datasheet Pagina 4 IXBX75N170A Datasheet Pagina 5 IXBX75N170A Datasheet Pagina 6

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IXBX75N170A Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieBIMOSFET™
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1700V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)110A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)300A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic6V @ 15V, 42A
Potenza - Max1040W
Switching Energy3.8mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge358nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C26ns/418ns
Condizione di test1360V, 42A, 1Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)360ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitorePLUS247™-3

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Potenza - Max

-

Switching Energy

456µJ (on), 411µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3PFM, SC-93-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3PF

RJH1CV6DPK-00#T0

Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 30A

Potenza - Max

290W

Switching Energy

2.3mJ (on), 1.7mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

105nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

46ns/125ns

Condizione di test

600V, 30A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

180ns

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3P

STGWA60H65DFB

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 60A

Potenza - Max

375W

Switching Energy

1.59mJ (on), 900µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

306nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

66ns/210ns

Condizione di test

400V, 60A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

60ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247 Long Leads

IRG7CH35UED

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Potenza - Max

-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

-

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 5A

Potenza - Max

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31.8µJ (on), 95µJ (off)

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