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IS43DR16128C-3DBLI

IS43DR16128C-3DBLI

Solo per riferimento

Numero parte IS43DR16128C-3DBLI
PNEDA Part # IS43DR16128C-3DBLI
Descrizione IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 331
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 19 - giu 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS43DR16128C-3DBLI Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS43DR16128C-3DBLI
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS43DR16128C-3DBLI, IS43DR16128C-3DBLI Datasheet (Totale pagine: 48, Dimensioni: 1.565,15 KB)
PDFIS46DR16128C-3DBLA2 Datasheet Copertura
IS46DR16128C-3DBLA2 Datasheet Pagina 2 IS46DR16128C-3DBLA2 Datasheet Pagina 3 IS46DR16128C-3DBLA2 Datasheet Pagina 4 IS46DR16128C-3DBLA2 Datasheet Pagina 5 IS46DR16128C-3DBLA2 Datasheet Pagina 6 IS46DR16128C-3DBLA2 Datasheet Pagina 7 IS46DR16128C-3DBLA2 Datasheet Pagina 8 IS46DR16128C-3DBLA2 Datasheet Pagina 9 IS46DR16128C-3DBLA2 Datasheet Pagina 10 IS46DR16128C-3DBLA2 Datasheet Pagina 11

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IS43DR16128C-3DBLI Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR2
Dimensione della memoria2Gb (128M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15ns
Tempo di accesso450ps
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore84-TWBGA (8x12.5)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

16Mb (1M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.5ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

60-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

60-TFBGA (6.4x10.1)

IS61QDB24M18A-250B4LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, QUAD

Dimensione della memoria

72Mb (4M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

250MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

1.8ns

Tensione - Alimentazione

1.71V ~ 1.89V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-LFBGA (13x15)

M24256-DRDW6TP

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

450ns

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

S26KL512SDABHA030

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KL

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

512Mb (64M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

100MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

96ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

24-VBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

24-FBGA (6x8)

MT29F512G08AUCBBK8-6:B TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

512Gb (64G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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