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MT29F512G08AUCBBK8-6:B TR

MT29F512G08AUCBBK8-6:B TR

Solo per riferimento

Numero parte MT29F512G08AUCBBK8-6:B TR
PNEDA Part # MT29F512G08AUCBBK8-6-B-TR
Descrizione IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.538
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MT29F512G08AUCBBK8-6:B TR Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT29F512G08AUCBBK8-6:B TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria

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MT29F512G08AUCBBK8-6:B TR Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NAND
Dimensione della memoria512Gb (64G x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

250MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

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Produttore

Microchip Technology

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20ms

Tempo di accesso

200ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Dimensione della memoria

9Mb (256K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

150MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.8ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

4ms

Tempo di accesso

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