IRG7CH20K10EF
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| Numero parte | IRG7CH20K10EF |
| PNEDA Part # | IRG7CH20K10EF |
| Descrizione | IGBT 1200V DIE |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.028 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida) |
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IRG7CH20K10EF Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IRG7CH20K10EF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
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IRG7CH20K10EF Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | * |
| Tipo IGBT | - |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | - |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | - |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | - |
| Potenza - Max | - |
| Switching Energy | - |
| Tipo di ingresso | - |
| Gate Charge | - |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | - |
| Condizione di test | - |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT Trench Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 20A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.91V @ 15V, 10A Potenza - Max 101W Switching Energy 29µJ (on), 200µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 32nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 27ns/79ns Condizione di test 400V, 10A, 22Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) 62ns Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore D²PAK |
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