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IRG4BC20UDSTRRP

IRG4BC20UDSTRRP

Solo per riferimento

Numero parte IRG4BC20UDSTRRP
PNEDA Part # IRG4BC20UDSTRRP
Descrizione IGBT 600V 13A 60W D2PAK
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.070
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 19 - lug 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRG4BC20UDSTRRP Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRG4BC20UDSTRRP
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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IRG4BC20UDSTRRP Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)13A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)52A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 6.5A
Potenza - Max60W
Switching Energy160µJ (on), 130µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge27nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C39ns/93ns
Condizione di test480V, 6.5A, 50Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)37ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

360V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

44A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.4V @ 4V, 6A

Potenza - Max

187W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Logic

Gate Charge

20nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-/5.4µs

Condizione di test

300V, 1kOhm, 5V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263

SGF80N60UFTU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

220A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 40A

Potenza - Max

110W

Switching Energy

570µJ (on), 590µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

175nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

23ns/90ns

Condizione di test

300V, 40A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3PF

RJH65T04BDPMA0#T2F

Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 30A

Potenza - Max

65W

Switching Energy

360µJ (on), 350µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

74nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

35ns/115ns

Condizione di test

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

80ns

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

SC-94

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3PFP

IRG4PC30KPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

28A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

58A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 16A

Potenza - Max

100W

Switching Energy

360µJ (on), 510µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

67nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

26ns/130ns

Condizione di test

480V, 16A, 23Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Infineon Technologies

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-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100A

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Td (acceso / spento) @ 25 ° C

60ns/145ns

Condizione di test

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Tempo di recupero inverso (trr)

115ns

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