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RJH65T04BDPMA0#T2F

RJH65T04BDPMA0#T2F

Solo per riferimento

Numero parte RJH65T04BDPMA0#T2F
PNEDA Part # RJH65T04BDPMA0-T2F
Descrizione IGBT TRENCH 650V 60A TO-3PFP
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.166
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 6 - mag 11 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RJH65T04BDPMA0#T2F Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRJH65T04BDPMA0#T2F
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
RJH65T04BDPMA0#T2F, RJH65T04BDPMA0#T2F Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 730,38 KB)
PDFRJH65T04BDPMA0#T2F Datasheet Copertura
RJH65T04BDPMA0#T2F Datasheet Pagina 2 RJH65T04BDPMA0#T2F Datasheet Pagina 3 RJH65T04BDPMA0#T2F Datasheet Pagina 4 RJH65T04BDPMA0#T2F Datasheet Pagina 5 RJH65T04BDPMA0#T2F Datasheet Pagina 6 RJH65T04BDPMA0#T2F Datasheet Pagina 7 RJH65T04BDPMA0#T2F Datasheet Pagina 8 RJH65T04BDPMA0#T2F Datasheet Pagina 9 RJH65T04BDPMA0#T2F Datasheet Pagina 10 RJH65T04BDPMA0#T2F Datasheet Pagina 11

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RJH65T04BDPMA0#T2F Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo IGBTTrench
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)650V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)60A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.95V @ 15V, 30A
Potenza - Max65W
Switching Energy360µJ (on), 350µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge74nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C35ns/115ns
Condizione di test400V, 30A, 10Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)80ns
Temperatura di esercizio175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaSC-94
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-3PFP

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

25A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 8A

Potenza - Max

156W

Switching Energy

300µJ (on), 285µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

65nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

7ns/100ns

Condizione di test

800V, 8A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247 [B]

ISL9V3040S3ST

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

EcoSPARK®

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

430V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

21A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 4V, 6A

Potenza - Max

150W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Logic

Gate Charge

17nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-/4.8µs

Condizione di test

300V, 1kOhm, 5V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263AB

AUIRGP4063D

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

144A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 48A

Potenza - Max

330W

Switching Energy

625µJ (on), 1.28mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

140nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

60ns/145ns

Condizione di test

400V, 48A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

115ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AC

STGD19N40LZ

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

390V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

25A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.5V @ 4.5V, 10A

Potenza - Max

125W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Logic

Gate Charge

17nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

650ns/13.5µs

Condizione di test

300V, 10A, 1kOhm, 5V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

Produttore

IXYS

Serie

BIMOSFET™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

16A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 10A

Potenza - Max

150W

Switching Energy

1.2mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

65nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

15ns/160ns

Condizione di test

1360V, 10A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

360ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

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