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IRF9Z34NSTRR

IRF9Z34NSTRR

Solo per riferimento

Numero parte IRF9Z34NSTRR
PNEDA Part # IRF9Z34NSTRR
Descrizione MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.380
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 17 - giu 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRF9Z34NSTRR Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRF9Z34NSTRR
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IRF9Z34NSTRR, IRF9Z34NSTRR Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 167,41 KB)
PDFIRF9Z34NSTRR Datasheet Copertura
IRF9Z34NSTRR Datasheet Pagina 2 IRF9Z34NSTRR Datasheet Pagina 3 IRF9Z34NSTRR Datasheet Pagina 4 IRF9Z34NSTRR Datasheet Pagina 5 IRF9Z34NSTRR Datasheet Pagina 6 IRF9Z34NSTRR Datasheet Pagina 7 IRF9Z34NSTRR Datasheet Pagina 8 IRF9Z34NSTRR Datasheet Pagina 9 IRF9Z34NSTRR Datasheet Pagina 10 IRF9Z34NSTRR Datasheet Pagina 11

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IRF9Z34NSTRR Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieHEXFET®
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C19A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds620pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)3.8W (Ta), 68W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

85A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.7mOhm @ 23A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

153nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6050pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.5W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-HVSON (5.4x5.15)

Pacchetto / Custodia

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IMZ120R030M1HXKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolSiC™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

1.2kV

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

56A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

15V, 18V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 25A, 18V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.7V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

63nC @ 18V

Vgs (massimo)

+23V, -7V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2.12nF @ 800V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

227W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO247-4-1

Pacchetto / Custodia

TO-247-4

TP65H050WS

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Produttore

Transphorm

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

GaNFET (Gallium Nitride)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

34A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

12V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 22A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.8V @ 700µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1000pF @ 400V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

119W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

SPI11N60S5BKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

380mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 500µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

54nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1460pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

125W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

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4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

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Vgs (th) (Max) @ Id

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Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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Funzione FET

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Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto dispositivo fornitore

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