TP65H050WS
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Numero parte | TP65H050WS |
PNEDA Part # | TP65H050WS |
Descrizione | GANFET N-CH 650V 34A TO247-3 |
Produttore | Transphorm |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 7.524 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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TP65H050WS Risorse
Brand | Transphorm |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | TP65H050WS |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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TP65H050WS Specifiche
Produttore | Transphorm |
Serie | - |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 34A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 12V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 22A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.8V @ 700µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 400V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 119W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-3 |
Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
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