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IRF7509TR

IRF7509TR

Solo per riferimento

Numero parte IRF7509TR
PNEDA Part # IRF7509TR
Descrizione MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.812
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 24 - mag 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRF7509TR Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRF7509TR
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
IRF7509TR, IRF7509TR Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 217,18 KB)
PDFIRF7509TR Datasheet Copertura
IRF7509TR Datasheet Pagina 2 IRF7509TR Datasheet Pagina 3 IRF7509TR Datasheet Pagina 4 IRF7509TR Datasheet Pagina 5 IRF7509TR Datasheet Pagina 6 IRF7509TR Datasheet Pagina 7 IRF7509TR Datasheet Pagina 8

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IRF7509TR Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieHEXFET®
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.7A, 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs110mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds210pF @ 25V
Potenza - Max1.25W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitoreMicro8™

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Vishay Siliconix

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Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.3A, 7.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 6.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1W, 1.25W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

880mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

260mOhm @ 880mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.2nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

155pF @ 20V

Potenza - Max

272mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-88/SC70-6/SOT-363

TT8M1TR

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate, 1.5V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

72mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

260pF @ 10V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

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Vishay Siliconix

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

33mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 25V

Potenza - Max

27W

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A, 4.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.7nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

590pF @ 15V

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