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DMHC3025LSDQ-13

DMHC3025LSDQ-13

Solo per riferimento

Numero parte DMHC3025LSDQ-13
PNEDA Part # DMHC3025LSDQ-13
Descrizione MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.988
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 22 - giu 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMHC3025LSDQ-13 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMHC3025LSDQ-13
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
DMHC3025LSDQ-13, DMHC3025LSDQ-13 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 341,54 KB)
PDFDMHC3025LSDQ-13 Datasheet Copertura
DMHC3025LSDQ-13 Datasheet Pagina 2 DMHC3025LSDQ-13 Datasheet Pagina 3 DMHC3025LSDQ-13 Datasheet Pagina 4 DMHC3025LSDQ-13 Datasheet Pagina 5 DMHC3025LSDQ-13 Datasheet Pagina 6 DMHC3025LSDQ-13 Datasheet Pagina 7 DMHC3025LSDQ-13 Datasheet Pagina 8 DMHC3025LSDQ-13 Datasheet Pagina 9

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  • DMHC3025LSDQ-13 Distributor

DMHC3025LSDQ-13 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FET2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6A, 4.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.7nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds590pF @ 15V
Potenza - Max1.5W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Tipo FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 100A, 15V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.6V @ 34mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

330nC @ 15V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

8200pF @ 10V

Potenza - Max

520W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

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Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.5A, 8.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1233pF @ 15V

Potenza - Max

900mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

540mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

550mOhm @ 540mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 16V

Potenza - Max

225mW

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A, 5.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.3nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

310pF @ 15V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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