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IRF7331TRPBF-1

IRF7331TRPBF-1

Solo per riferimento

Numero parte IRF7331TRPBF-1
PNEDA Part # IRF7331TRPBF-1
Descrizione MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.318
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 18 - mag 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRF7331TRPBF-1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRF7331TRPBF-1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
IRF7331TRPBF-1, IRF7331TRPBF-1 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 194,93 KB)
PDFIRF7331TRPBF-1 Datasheet Copertura
IRF7331TRPBF-1 Datasheet Pagina 2 IRF7331TRPBF-1 Datasheet Pagina 3 IRF7331TRPBF-1 Datasheet Pagina 4 IRF7331TRPBF-1 Datasheet Pagina 5 IRF7331TRPBF-1 Datasheet Pagina 6 IRF7331TRPBF-1 Datasheet Pagina 7 IRF7331TRPBF-1 Datasheet Pagina 8 IRF7331TRPBF-1 Datasheet Pagina 9

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  • IRF7331TRPBF-1 Distributor

IRF7331TRPBF-1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie*
Tipo FET-
Funzione FET-
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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IXYS

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel, Common Drain

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

54A (Tc), 62A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 38A, 10V, 11mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA, 4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

197nC @ 10V, 104nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1370pF @ 25V, 5080pF @ 25V

Potenza - Max

89W, 132W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

ISOPLUSi5-Pak™

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOPLUS i4-PAC™

FQS4900TF

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

QFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V, 300V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.3A, 300mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

550mOhm @ 650mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.95V @ 20mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.1nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

DMN3055LFDB-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.3nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

458pF @ 15V

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-UDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

U-DFN2020-6 (Type B)

PHN210T,118

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 20V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

IRF7341GTRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 5.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

780pF @ 25V

Potenza - Max

2.4W

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Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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