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FMP76-01T

FMP76-01T

Solo per riferimento

Numero parte FMP76-01T
PNEDA Part # FMP76-01T
Descrizione MOSFET N/P-CH
Produttore IXYS
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Disponibile 4.086
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FMP76-01T Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFMP76-01T
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
FMP76-01T, FMP76-01T Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 106,91 KB)
PDFFMP76-01T Datasheet Copertura
FMP76-01T Datasheet Pagina 2 FMP76-01T Datasheet Pagina 3 FMP76-01T Datasheet Pagina 4

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FMP76-01T Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Tipo FETN and P-Channel, Common Drain
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C54A (Tc), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 38A, 10V, 11mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA, 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs197nC @ 10V, 104nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1370pF @ 25V, 5080pF @ 25V
Potenza - Max89W, 132W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaISOPLUSi5-Pak™
Pacchetto dispositivo fornitoreISOPLUS i4-PAC™

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

423A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.7mOhm @ 300A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 15mA (Typ)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1025nC @ 20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

11700pF @ 600V

Potenza - Max

1660W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module, Screw Terminals

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

US6J12TCR

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

105mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

850pF @ 6V

Potenza - Max

910mW (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

880mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

400mOhm @ 880mA, 2.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

750mV @ 1.6µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.26nC @ 2.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

78pF @ 10V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 7.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 7.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1286pF @ 10V

Potenza - Max

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