SQJ974EP-T1_GE3
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| Numero parte | SQJ974EP-T1_GE3 |
| PNEDA Part # | SQJ974EP-T1_GE3 |
| Descrizione | MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8 |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 58.386 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 12 - mag 17 (Scegli Spedizione rapida) |
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SQJ974EP-T1_GE3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SQJ974EP-T1_GE3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
SQJ974EP-T1_GE3, SQJ974EP-T1_GE3 Datasheet
(Totale pagine: 9, Dimensioni: 221,4 KB)
  
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SQJ974EP-T1_GE3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25.5mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1050pF @ 25V |
| Potenza - Max | 48W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 Dual |
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Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie U-MOSVII Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate, 1.2V Drive Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 42pF @ 10V Potenza - Max 285mW (Ta) Temperatura di esercizio 150°C Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore US6 |
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