FQPF8N80CYDTU
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| Numero parte | FQPF8N80CYDTU |
| PNEDA Part # | FQPF8N80CYDTU |
| Descrizione | MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.958 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 25 - lug 30 (Scegli Spedizione rapida) |
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FQPF8N80CYDTU Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FQPF8N80CYDTU |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
FQPF8N80CYDTU, FQPF8N80CYDTU Datasheet
(Totale pagine: 13, Dimensioni: 1.267,39 KB)
  
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FQPF8N80CYDTU Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | QFET® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 800V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.55Ohm @ 4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2050pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 59W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F-3 (Y-Forming) |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads |
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Produttore ON Semiconductor Serie * Tipo FET - Tecnologia - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto dispositivo fornitore - Pacchetto / Custodia - |
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