FQD2N90TM
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Numero parte | FQD2N90TM |
PNEDA Part # | FQD2N90TM |
Descrizione | MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK |
Produttore | ON Semiconductor |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 92.604 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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FQD2N90TM Risorse
Brand | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | FQD2N90TM |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
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FQD2N90TM Specifiche
Produttore | ON Semiconductor |
Serie | QFET® |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 900V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.7A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2Ohm @ 850mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 500pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-Pak |
Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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