NVMFS5830NLWFT3G
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| Numero parte | NVMFS5830NLWFT3G |
| PNEDA Part # | NVMFS5830NLWFT3G |
| Descrizione | MOSFET N-CH 40V 172A SO8FL |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.788 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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NVMFS5830NLWFT3G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NVMFS5830NLWFT3G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
NVMFS5830NLWFT3G, NVMFS5830NLWFT3G Datasheet
(Totale pagine: 6, Dimensioni: 110,32 KB)
  
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NVMFS5830NLWFT3G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 29A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 113nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5880pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.8W (Ta), 158W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerTDFN |
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Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.2mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.4nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 570pF @ 20V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 25W (Tc) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-HSOP Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN |
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