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FQB7N60TM

FQB7N60TM

Solo per riferimento

Numero parte FQB7N60TM
PNEDA Part # FQB7N60TM
Descrizione MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 8.532
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FQB7N60TM Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFQB7N60TM
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
FQB7N60TM, FQB7N60TM Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 801,76 KB)
PDFFQI7N60TU Datasheet Copertura
FQI7N60TU Datasheet Pagina 2 FQI7N60TU Datasheet Pagina 3 FQI7N60TU Datasheet Pagina 4 FQI7N60TU Datasheet Pagina 5 FQI7N60TU Datasheet Pagina 6 FQI7N60TU Datasheet Pagina 7 FQI7N60TU Datasheet Pagina 8 FQI7N60TU Datasheet Pagina 9

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FQB7N60TM Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieQFET®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C7.4A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1Ohm @ 3.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs38nC @ 10V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1430pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)3.13W (Ta), 142W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD²PAK (TO-263AB)
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.6A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.2Ohm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.1W (Ta), 74W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SIA110DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen IV

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.4A (Ta), 12A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

7.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

55mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

550pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.5W (Ta), 19W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® SC-70-6 Single

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® SC-70-6

IRL620STRLPBF

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.2A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

800mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 5V

Vgs (massimo)

±10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

360pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.1W (Ta), 50W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRFB7740PBF

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

75V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

87A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.3mOhm @ 52A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.7V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

122nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4650pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

143W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Tipo FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

44A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

20V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 20A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.3V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 20V

Vgs (massimo)

+25V, -15V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1670pF @ 800V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

348W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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