AS4C4M16SA-6BIN
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| Numero parte | AS4C4M16SA-6BIN |
| PNEDA Part # | AS4C4M16SA-6BIN |
| Descrizione | IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA |
| Produttore | Alliance Memory, Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 9.648 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida) |
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AS4C4M16SA-6BIN Risorse
| Brand | Alliance Memory, Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | AS4C4M16SA-6BIN |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
AS4C4M16SA-6BIN, AS4C4M16SA-6BIN Datasheet
(Totale pagine: 55, Dimensioni: 1.584,21 KB)
  
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AS4C4M16SA-6BIN Specifiche
| Produttore | Alliance Memory, Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM |
| Dimensione della memoria | 64Mb (4M x 16) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 166MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 2ns |
| Tempo di accesso | 5.4ns |
| Tensione - Alimentazione | 3V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 54-TFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 54-TFBGA (8x8) |
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Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria - Formato memoria - Tecnologia - Dimensione della memoria - Interfaccia di memoria - Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria 4Mb (128K x 32) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 117MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 7.5ns Tensione - Alimentazione 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore 100-TQFP (14x20) |
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria 4.5Mb (256K x 18) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 3.1ns Tensione - Alimentazione 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore 100-TQFP (14x20) |
Produttore Microchip Technology Serie SST39 MPF™ Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH Dimensione della memoria 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 10µs Tempo di accesso 70ns Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 48-TSOP |
Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 1Kb (128 x 8 , 64 x 16) Interfaccia di memoria SPI Frequenza di clock 3MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 6ms Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 2.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-MSOP |
