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FDWS9420-F085

FDWS9420-F085

Solo per riferimento

Numero parte FDWS9420-F085
PNEDA Part # FDWS9420-F085
Descrizione MOSFET 2 N-CH 40V 20A 8-PQFN
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.788
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 25 - lug 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FDWS9420-F085 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFDWS9420-F085
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
FDWS9420-F085, FDWS9420-F085 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 582,54 KB)
PDFFDWS9420-F085 Datasheet Copertura
FDWS9420-F085 Datasheet Pagina 2 FDWS9420-F085 Datasheet Pagina 3 FDWS9420-F085 Datasheet Pagina 4 FDWS9420-F085 Datasheet Pagina 5 FDWS9420-F085 Datasheet Pagina 6 FDWS9420-F085 Datasheet Pagina 7

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FDWS9420-F085 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs43nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2100pF @ 20V
Potenza - Max75W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo fornitore8-PQFN (5x6)

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

24A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.6mOhm @ 23A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4230pF @ 20V

Potenza - Max

50W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

12-PowerWDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

12-Power3.3x5

FTCO3V455A1

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

SPM®

Tipo FET

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

150A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.66mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

115W

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

19-PowerDIP Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

NTJD4401NT2G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

630mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

375mOhm @ 630mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

46pF @ 20V

Potenza - Max

270mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-88/SC70-6/SOT-363

APTC60DSKM35T3G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

72A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 72A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 5.4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

518nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

14000pF @ 25V

Potenza - Max

416W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP3

Pacchetto dispositivo fornitore

SP3

IRF7530TRPBF

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 5.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1310pF @ 15V

Potenza - Max

1.3W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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