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FDPC8013S

FDPC8013S

Solo per riferimento

Numero parte FDPC8013S
PNEDA Part # FDPC8013S
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 13A/26A 3.3MM
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario
1 ---------- $5,1263
250 ---------- $4,8860
500 ---------- $4,6457
1.000 ---------- $4,4054
2.500 ---------- $4,2051
5.000 ---------- $4,0049
Disponibile 271
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FDPC8013S Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFDPC8013S
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
FDPC8013S, FDPC8013S Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 581 KB)
PDFFDPC8013S Datasheet Copertura
FDPC8013S Datasheet Pagina 2 FDPC8013S Datasheet Pagina 3 FDPC8013S Datasheet Pagina 4 FDPC8013S Datasheet Pagina 5 FDPC8013S Datasheet Pagina 6 FDPC8013S Datasheet Pagina 7 FDPC8013S Datasheet Pagina 8 FDPC8013S Datasheet Pagina 9 FDPC8013S Datasheet Pagina 10 FDPC8013S Datasheet Pagina 11

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FDPC8013S Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SeriePowerTrench®
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C13A, 26A
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.4mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds827pF @ 15V
Potenza - Max800mW, 900mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-PowerWDFN
Pacchetto dispositivo fornitorePowerclip-33

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Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

22A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

32mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14.2nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1081pF @ 25V

Potenza - Max

38W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-1205, 8-LFPAK56

Pacchetto dispositivo fornitore

LFPAK56D

DMP2100UCB9-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual) Common Source

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.2nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

310pF @ 10V

Potenza - Max

800mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

9-UFBGA, WLBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

U-WLB1515-9

BSS84V-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

50V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

130mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10Ohm @ 100mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

45pF @ 25V

Potenza - Max

150mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-563

SSM6L11TU(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

500mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

145mOhm @ 250MA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

268pF @ 10V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

UF6

DMP1055UFDB-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

59mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20.8nC @ 8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1028pF @ 6V

Potenza - Max

1.36W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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