BUK9K35-60E,115
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| Numero parte | BUK9K35-60E,115 |
| PNEDA Part # | BUK9K35-60E-115 |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 60V 22A LFPAK56D |
| Produttore | Nexperia |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 27.246 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida) |
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BUK9K35-60E Risorse
| Brand | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BUK9K35-60E,115 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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BUK9K35-60E Specifiche
| Produttore | Nexperia USA Inc. |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 22A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.2nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1081pF @ 25V |
| Potenza - Max | 38W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SOT-1205, 8-LFPAK56 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK56D |
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Produttore NXP USA Inc. Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 900mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 225mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.1nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 75pF @ 15V Potenza - Max 390mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore 6-TSSOP |
Produttore Infineon Technologies Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 16µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 990pF @ 25V Potenza - Max 43W Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount, Wettable Flank Pacchetto / Custodia 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore PG-TDSON-8-10 |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 25A, 30A Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.3mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 15V Potenza - Max 22W, 40W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SO-8 Dual |
Produttore Advanced Linear Devices Inc. Serie EPAD®, Zero Threshold™ Tipo FET 4 N-Channel, Matched Pair Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 10.6V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs 500Ohm @ 4V Vgs (th) (Max) @ Id 20mV @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2.5pF @ 5V Potenza - Max 500mW Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 16-SOIC |
Produttore Microsemi Corporation Serie CoolMOS™ Tipo FET 4 N-Channel (H-Bridge) Funzione FET Super Junction Tensione Drain to Source (Vdss) 900V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 30A Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 270nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6800pF @ 100V Potenza - Max 250W Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP4 Pacchetto dispositivo fornitore SP4 |
