FDMS3622S
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| Numero parte | FDMS3622S |
| PNEDA Part # | FDMS3622S |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/34A PWR56 |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 27.906 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 9 - mag 14 (Scegli Spedizione rapida) |
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FDMS3622S Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FDMS3622S |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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FDMS3622S Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | PowerTrench® |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 25V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 17.5A, 34A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 17.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1570pF @ 13V |
| Potenza - Max | 1W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerTDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Power56 |
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Produttore ON Semiconductor Serie PowerTrench® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10A Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 50V Potenza - Max 2.2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerWDFN Pacchetto dispositivo fornitore 8-MLP (5x6), Power56 |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 39A Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 39A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 2.7mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 259nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7000pF @ 25V Potenza - Max 250W Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP3 Pacchetto dispositivo fornitore SP3 |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 317A Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 158.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 448nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 27400pF @ 25V Potenza - Max 1136W Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP6 Pacchetto dispositivo fornitore SP6 |
Produttore Infineon Technologies Serie OptiMOS™ Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 15µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1730pF @ 25V Potenza - Max 30W Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore PG-TDSON-8-4 |
