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APTM20AM05FG

APTM20AM05FG

Solo per riferimento

Numero parte APTM20AM05FG
PNEDA Part # APTM20AM05FG
Descrizione MOSFET 2N-CH 200V 317A SP6
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.788
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 17 - mag 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APTM20AM05FG Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPTM20AM05FG
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
APTM20AM05FG, APTM20AM05FG Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 289,24 KB)
PDFAPTM20AM05FG Datasheet Copertura
APTM20AM05FG Datasheet Pagina 2 APTM20AM05FG Datasheet Pagina 3 APTM20AM05FG Datasheet Pagina 4 APTM20AM05FG Datasheet Pagina 5 APTM20AM05FG Datasheet Pagina 6

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APTM20AM05FG Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Half Bridge)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C317A
Rds On (Max) @ Id, Vgs5mOhm @ 158.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs448nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds27400pF @ 25V
Potenza - Max1136W
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaSP6
Pacchetto dispositivo fornitoreSP6

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

42mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

MPT6

NDM3000

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

360pF @ 10V

Potenza - Max

1.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

151pF @ 10V

Potenza - Max

1.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

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Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A, 3.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

55mOhm @ 4.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.2nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

285pF @ 10V

Potenza - Max

3.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

72mOhm @ 1.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 10V

Potenza - Max

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