FDMD8900
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| Numero parte | FDMD8900 |
| PNEDA Part # | FDMD8900 |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V POWER |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.798 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 30 - giu 4 (Scegli Spedizione rapida) |
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FDMD8900 Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FDMD8900 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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FDMD8900 Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 19A, 17A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 19A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2605pF @ 15V |
| Potenza - Max | 2.1W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 12-PowerWDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 12-Power3.3x5 |
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