ALD110908PAL
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| Numero parte | ALD110908PAL |
| PNEDA Part # | ALD110908PAL |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP |
| Produttore | Advanced Linear Devices Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.676 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 27 - giu 1 (Scegli Spedizione rapida) |
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ALD110908PAL Risorse
| Brand | Advanced Linear Devices Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | ALD110908PAL |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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ALD110908PAL Specifiche
| Produttore | Advanced Linear Devices Inc. |
| Serie | EPAD® |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 10.6V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12mA, 3mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500Ohm @ 4.8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 820mV @ 1µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2.5pF @ 5V |
| Potenza - Max | 500mW |
| Temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PDIP |
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Produttore ON Semiconductor Serie * Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 450mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 990mOhm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 27.6pF @ 16V Potenza - Max - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-963 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-963 |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 70A Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 200nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5100pF @ 25V Potenza - Max 208W Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP3 Pacchetto dispositivo fornitore SP3 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V, 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 630mA, 775mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 375mOhm @ 630mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 46pF @ 20V Potenza - Max 270mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Produttore ON Semiconductor Serie PowerTrench® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 54mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.3nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 500pF @ 10V Potenza - Max 700mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-VDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 6-MicroFET (2x2) |
