Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

FDD3672-F085

FDD3672-F085

Solo per riferimento

Numero parte FDD3672-F085
PNEDA Part # FDD3672-F085
Descrizione MOSFET N-CH 100V 44A DPAK-3
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.282
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FDD3672-F085 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFDD3672-F085
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
FDD3672-F085, FDD3672-F085 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 111,58 KB)
PDFFDD3672-F085 Datasheet Copertura
FDD3672-F085 Datasheet Pagina 2 FDD3672-F085 Datasheet Pagina 3 FDD3672-F085 Datasheet Pagina 4 FDD3672-F085 Datasheet Pagina 5 FDD3672-F085 Datasheet Pagina 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • FDD3672-F085 Datasheet
  • where to find FDD3672-F085
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor FDD3672-F085
  • FDD3672-F085 PDF Datasheet
  • FDD3672-F085 Stock

  • FDD3672-F085 Pinout
  • Datasheet FDD3672-F085
  • FDD3672-F085 Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • FDD3672-F085 Price
  • FDD3672-F085 Distributor

FDD3672-F085 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101, UltraFET™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C44A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs47mOhm @ 21A, 6V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs36nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1635pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)144W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-252AA
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

I prodotti a cui potresti essere interessato

BUK9M120-100EX

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11.5A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

119mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.05V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.8nC @ 5V

Vgs (massimo)

±10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

882pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

44W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

LFPAK33

Pacchetto / Custodia

SOT-1210, 8-LFPAK33

IPP05CN10NGXKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.4mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

181nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

12000pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

300W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220-3

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

IRLH5034TR2PBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

29A (Ta), 100A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.4mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 150µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

82nC @ 10V

Vgs (massimo)

±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4730pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.6W (Ta), 156W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PQFN (5x6)

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

IPS040N03LGBKMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

90A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3900pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

79W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO251-3

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Stub Leads, IPak

DMP2100U-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.3A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

38mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.1nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

216pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

800mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Venduto di recente

2N7002-7-F

2N7002-7-F

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3

MMBT3904LT1G

MMBT3904LT1G

ON Semiconductor

TRANS NPN 40V 0.2A SOT23

AT24C1024BW-SH-T

AT24C1024BW-SH-T

Microchip Technology

IC EEPROM 1M I2C 1MHZ 8SOIC

MIC2026-1YM

MIC2026-1YM

Microchip Technology

IC PW DIST SW DUAL 8SOIC

M30624FGPGP#U3C

M30624FGPGP#U3C

Renesas Electronics America

IC MCU 16BIT 256KB FLASH 100QFP

STPS0560Z

STPS0560Z

STMicroelectronics

DIODE SCHOTTKY 60V 500MA SOD123

LTST-C190KGKT

LTST-C190KGKT

Lite-On Inc.

LED GREEN CLEAR CHIP SMD

ST16C2552IJ44TR-F

ST16C2552IJ44TR-F

MaxLinear, Inc.

IC UART FIFO 16B DUAL 44PLCC

MAX9100EUK+T

MAX9100EUK+T

Maxim Integrated

IC COMPARATOR R-R SOT23-5

IS42S16160G-7BLI-TR

IS42S16160G-7BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

PDS1040-13

PDS1040-13

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 40V 10A POWERDI5

MMA8451QR1

MMA8451QR1

NXP

ACCELEROMETER 2-8G I2C 16QFN