FDC6301N
Solo per riferimento
| Numero parte | FDC6301N |
| PNEDA Part # | FDC6301N |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6 |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 239.010 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
FDC6301N Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | FDC6301N |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- FDC6301N Datasheet
- where to find FDC6301N
- ON Semiconductor
- ON Semiconductor FDC6301N
- FDC6301N PDF Datasheet
- FDC6301N Stock
- FDC6301N Pinout
- Datasheet FDC6301N
- FDC6301N Supplier
- ON Semiconductor Distributor
- FDC6301N Price
- FDC6301N Distributor
FDC6301N Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 25V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 220mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 400mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.7nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9.5pF @ 10V |
| Potenza - Max | 700mW |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SuperSOT™-6 |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1130pF @ 10V Potenza - Max 900mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1938pF @ 15V Potenza - Max - Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 350mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.68nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 15V Potenza - Max 445mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore 6-TSSOP |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1230pF @ 10V Potenza - Max 620mW Temperatura di esercizio -50°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-VDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 6-TDFN (2x2) |
Produttore ON Semiconductor Serie QFET® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 370mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.2Ohm @ 185mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.2nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 200pF @ 25V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
