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DMNH4015SSD-13

DMNH4015SSD-13

Solo per riferimento

Numero parte DMNH4015SSD-13
PNEDA Part # DMNH4015SSD-13
Descrizione MOSFET 2 N-CHANNEL 11A 8SO
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.820
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMNH4015SSD-13 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMNH4015SSD-13
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
DMNH4015SSD-13, DMNH4015SSD-13 Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 490,83 KB)
PDFDMNH4015SSD-13 Datasheet Copertura
DMNH4015SSD-13 Datasheet Pagina 2 DMNH4015SSD-13 Datasheet Pagina 3 DMNH4015SSD-13 Datasheet Pagina 4 DMNH4015SSD-13 Datasheet Pagina 5 DMNH4015SSD-13 Datasheet Pagina 6 DMNH4015SSD-13 Datasheet Pagina 7 DMNH4015SSD-13 Datasheet Pagina 8

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  • DMNH4015SSD-13 Distributor

DMNH4015SSD-13 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs15mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1938pF @ 15V
Potenza - Max-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

25A (Ta), 145A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.65mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 90µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

54nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3170pF @ 25V

Potenza - Max

3.5W (Ta), 125W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

23A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 10.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 30V

Potenza - Max

25W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® SO-8 Dual

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

33mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

540pF @ 25V

Potenza - Max

3.2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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Infineon Technologies

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 30µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

870pF @ 25V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

8V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

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