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FD6M043N08

FD6M043N08

Solo per riferimento

Numero parte FD6M043N08
PNEDA Part # FD6M043N08
Descrizione MOSFET 2N-CH 75V 65A EPM15
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.830
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 24 - mag 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FD6M043N08 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFD6M043N08
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
FD6M043N08, FD6M043N08 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 779,12 KB)
PDFFD6M043N08 Datasheet Copertura
FD6M043N08 Datasheet Pagina 2 FD6M043N08 Datasheet Pagina 3 FD6M043N08 Datasheet Pagina 4 FD6M043N08 Datasheet Pagina 5 FD6M043N08 Datasheet Pagina 6 FD6M043N08 Datasheet Pagina 7 FD6M043N08 Datasheet Pagina 8 FD6M043N08 Datasheet Pagina 9

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FD6M043N08 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SeriePower-SPM™
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)75V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C65A
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.3mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs148nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds6180pF @ 25V
Potenza - Max-
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaEPM15
Pacchetto dispositivo fornitoreEPM15

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

370mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 350mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

450mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

250mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

58mOhm @ 4.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

665pF @ 10V

Potenza - Max

3.1W

Temperatura di esercizio

-50°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

142mOhm @ 2.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.7nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

405pF @ 10V

Potenza - Max

600mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 1.25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

615pF @ 25V

Potenza - Max

27.8W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

600mA, 500mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

650mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

45pF @ 10V

Potenza - Max

380mW

Temperatura di esercizio

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