DMN2011UFX-7
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| Numero parte | DMN2011UFX-7 |
| PNEDA Part # | DMN2011UFX-7 |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4 |
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 69.066 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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DMN2011UFX-7 Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DMN2011UFX-7 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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DMN2011UFX-7 Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12.2A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 10A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2248pF @ 10V |
| Potenza - Max | 2.1W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 4-VFDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | V-DFN2050-4 |
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Produttore Diodes Incorporated Serie * Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
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