SH8KA4TB
Solo per riferimento
| Numero parte | SH8KA4TB | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | SH8KA4TB | ||||||||||||||||||
| Descrizione | 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET | ||||||||||||||||||
| Produttore | Rohm Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
|
||||||||||||||||||
| Disponibile | 54 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | mag 9 - mag 14 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * | ||||||||||||||||||
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|||||||||||||||||||
|
|
|||||||||||||||||||
SH8KA4TB Risorse
| Brand | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | SH8KA4TB |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- SH8KA4TB Datasheet
- where to find SH8KA4TB
- Rohm Semiconductor
- Rohm Semiconductor SH8KA4TB
- SH8KA4TB PDF Datasheet
- SH8KA4TB Stock
- SH8KA4TB Pinout
- Datasheet SH8KA4TB
- SH8KA4TB Supplier
- Rohm Semiconductor Distributor
- SH8KA4TB Price
- SH8KA4TB Distributor
SH8KA4TB Specifiche
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | - |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21.4mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.5nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 640pF @ 15V |
| Potenza - Max | 3W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10A Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.4mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.55V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 960pF @ 10V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET Logic Level Gate, 2.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss) 24V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 900mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore 6-CPH |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1580pF @ 30V Potenza - Max 1.8W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore ON Semiconductor Serie PowerTrench® Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 885pF @ 10V Potenza - Max 700mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 6-MicroFET (2x2) |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET N and P-Channel Complementary Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.6A (Ta), 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 5A, 4.5V, 74mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.6nC @ 4.5V, 5.9nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 369pF @ 10V, 440pF @ 10V Potenza - Max 700mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore TSOT-26 |
