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DMC2710UDW-7

DMC2710UDW-7

Solo per riferimento

Numero parte DMC2710UDW-7
PNEDA Part # DMC2710UDW-7
Descrizione MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT363
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.122
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 16 - lug 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMC2710UDW-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMC2710UDW-7
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
DMC2710UDW-7, DMC2710UDW-7 Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 603,31 KB)
PDFDMC2710UDW-7 Datasheet Copertura
DMC2710UDW-7 Datasheet Pagina 2 DMC2710UDW-7 Datasheet Pagina 3 DMC2710UDW-7 Datasheet Pagina 4 DMC2710UDW-7 Datasheet Pagina 5 DMC2710UDW-7 Datasheet Pagina 6 DMC2710UDW-7 Datasheet Pagina 7 DMC2710UDW-7 Datasheet Pagina 8 DMC2710UDW-7 Datasheet Pagina 9 DMC2710UDW-7 Datasheet Pagina 10

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DMC2710UDW-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie*
Tipo FET-
Funzione FET-
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

865pF @ 15V

Potenza - Max

3.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

62mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 10V

Potenza - Max

2.3W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 11.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tipo FET

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30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

25A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

1.9V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1050pF @ 15V

Potenza - Max

6W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.03A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

750mOhm @ 430mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.62nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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Potenza - Max

530mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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