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CSD87503Q3ET

CSD87503Q3ET

Solo per riferimento

Numero parte CSD87503Q3ET
PNEDA Part # CSD87503Q3ET
Descrizione 30-V DUAL N-CHANNEL MOSFET, COMM
Produttore Texas Instruments
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.796
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 19 - giu 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CSD87503Q3ET Risorse

Brand Texas Instruments
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCSD87503Q3ET
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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CSD87503Q3ET Specifiche

Produttore
SerieNexFET™
Tipo FET2 N-Channel (Dual) Common Source
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17.4nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1020pF @ 15V
Potenza - Max15.6W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitore8-VSON (3.3x3.3)

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.5A, 5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.8nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1060pF @ 10V

Potenza - Max

1.5W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

8-ECH

FDS6911

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1130pF @ 15V

Potenza - Max

900mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Produttore

Sanken

Serie

-

Tipo FET

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

250V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

450pF @ 10V

Potenza - Max

4W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

12-SIP

Pacchetto dispositivo fornitore

12-SIP

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 8.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.3nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

856pF @ 10V

Potenza - Max

980mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10.7A, 11.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

946pF @ 15V

Potenza - Max

3.3W, 3.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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