DMG9926UDM-7
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| Numero parte | DMG9926UDM-7 |
| PNEDA Part # | DMG9926UDM-7 |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT-26 |
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 312.114 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida) |
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DMG9926UDM-7 Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DMG9926UDM-7 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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DMG9926UDM-7 Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.2A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 8.2A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 856pF @ 10V |
| Potenza - Max | 980mW |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SOT-23-6 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-26 |
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo FET 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 72A Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 72A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 5.4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 518nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 14000pF @ 25V Potenza - Max 416W Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP6 Pacchetto dispositivo fornitore SP6-P |
Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2065pF @ 10V Potenza - Max 3.1W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore 8-DFN (3x3) |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 350mA, 200mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7Ohm @ 80mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.58nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7pF @ 10V Potenza - Max 800mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore 6-MCPH |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33.7nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1640pF @ 20V Potenza - Max 1.8W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore Vishay Siliconix Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 790pF @ 35V Potenza - Max 34W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SO-8 Dual |
