AO4807_101
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| Numero parte | AO4807_101 |
| PNEDA Part # | AO4807_101 |
| Descrizione | MOSFET 2P-CH 30V 6A 8-SOIC |
| Produttore | Alpha & Omega Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.698 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida) |
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AO4807_101 Risorse
| Brand | Alpha & Omega Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | AO4807_101 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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AO4807_101 Specifiche
| Produttore | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 15V |
| Potenza - Max | 2W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
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Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET N and P-Channel Complementary Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A (Ta), 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 3.5A, 10V, 100mOhm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA, 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 10V, 5.2nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 210pF @ 15V, 240pF @ 15V Potenza - Max 1.15W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SC-74, SOT-457 Pacchetto dispositivo fornitore 6-TSOP |
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Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1150pF @ 15V Potenza - Max 1.6W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-VFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 6-DFN-EP (2x5) |
Produttore Diodes Incorporated Serie * Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Serie NexFET™ Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4840pF @ 30V Potenza - Max 12W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 22-PowerTFDFN Pacchetto dispositivo fornitore 22-VSON-CLIP (5x6) |
