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C3M0280090D

C3M0280090D

Solo per riferimento

Numero parte C3M0280090D
PNEDA Part # C3M0280090D
Descrizione MOSFET N-CH 900V 11.5A
Produttore Cree/Wolfspeed
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 22.812
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

C3M0280090D Risorse

Brand Cree/Wolfspeed
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteC3M0280090D
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo

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C3M0280090D Specifiche

ProduttoreCree/Wolfspeed
SerieC3M™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaSiCFET (Silicon Carbide)
Tensione Drain to Source (Vdss)900V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C11.5A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs360mOhm @ 7.5A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 1.2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.5nC @ 15V
Vgs (massimo)+18V, -8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds150pF @ 600V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)54W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247-3
Pacchetto / CustodiaTO-247-3

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

SuperFET® II

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

17A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

290mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1.7mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3205pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

212W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D²PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

NTD20N06T4G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

46mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1015pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.88W (Ta), 60W (Tj)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRL3302

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

39A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 7V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 23A, 7V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

57W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

SI4800BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.5A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18.5mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 5V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.3W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

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Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

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±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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-

Dissipazione di potenza (max)

227W (Ta)

Temperatura di esercizio

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