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BYG22DHE3/TR

BYG22DHE3/TR

Solo per riferimento

Numero parte BYG22DHE3/TR
PNEDA Part # BYG22DHE3-TR
Descrizione DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.268
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 2 - mag 7 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BYG22DHE3/TR Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBYG22DHE3/TR
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
BYG22DHE3/TR, BYG22DHE3/TR Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 92,21 KB)
PDFBYG22DHE3/TR Datasheet Copertura
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BYG22DHE3/TR Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Tipo di diodoAvalanche
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)200V
Corrente - Media Rettificata (Io)2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.1V @ 2A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr1µA @ 200V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-214AC (SMA)
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C

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Produttore

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Serie

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Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

45V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

490mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

50µA @ 45V

Capacità @ Vr, F

70pF @ 5V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-213AB, MELF (Glass)

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-213AB (MELF, LL41)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 125°C

SFA1004GHC0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

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Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

975mV @ 10A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

70pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AC

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

MMSD4148-D87Z

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

200mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 10mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

4ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 75V

Capacità @ Vr, F

4pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOD-123

Pacchetto dispositivo fornitore

SOD-123

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

1N5818-E3/1

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

550mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 30V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AL, DO-41, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-204AL (DO-41)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 125°C

30ETH06

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

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Serie

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Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

30A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

2.6V @ 30A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

50µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

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Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

TO-220-2

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