BUK761R5-40EJ
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| Numero parte | BUK761R5-40EJ |
| PNEDA Part # | BUK761R5-40EJ |
| Descrizione | MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK |
| Produttore | NXP |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.142 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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BUK761R5-40EJ Risorse
| Brand | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BUK761R5-40EJ |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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BUK761R5-40EJ Specifiche
| Produttore | NXP USA Inc. |
| Serie | TrenchMOS™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.51mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 145nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 11340pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 349W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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Produttore NXP USA Inc. Serie TrenchMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 87.8nC @ 5V Vgs (massimo) ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 13160pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 293W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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