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BFS17W,135

BFS17W,135

Solo per riferimento

Numero parte BFS17W,135
PNEDA Part # BFS17W-135
Descrizione RF TRANS NPN 15V 1.6GHZ SOT323-3
Produttore NXP
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.884
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 17 - giu 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BFS17W Risorse

Brand NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBFS17W,135
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
BFS17W, BFS17W Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 170,86 KB)
PDFBFS17W Datasheet Copertura
BFS17W Datasheet Pagina 2 BFS17W Datasheet Pagina 3 BFS17W Datasheet Pagina 4 BFS17W Datasheet Pagina 5 BFS17W Datasheet Pagina 6 BFS17W Datasheet Pagina 7 BFS17W Datasheet Pagina 8

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BFS17W Specifiche

ProduttoreNXP USA Inc.
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)15V
Frequenza - Transizione1.6GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)4.5dB @ 500MHz
Guadagno-
Potenza - Max300mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce25 @ 2mA, 1V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)50mA
Temperatura di esercizio175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-70, SOT-323
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-323-3

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.45dB ~ 1.8dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Guadagno

19.5dB

Potenza - Max

175mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 5mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-75, SOT-416

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SC-75

MPS3563

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

1.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

6.5dB @ 60MHz

Guadagno

14dB @ 200MHz

Potenza - Max

350W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 8mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92

MDS150

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Frequenza - Transizione

1.03GHz ~ 1.09GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

10dB

Potenza - Max

350W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 500mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

4A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55AW

Pacchetto dispositivo fornitore

55AW

1214-110M

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

75V

Frequenza - Transizione

1.2GHz ~ 1.4GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

7.4dB

Potenza - Max

270W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

8A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55KT

Pacchetto dispositivo fornitore

55KT

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

10V

Frequenza - Transizione

8.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.3dB ~ 1.8dB @ 1GHz ~ 2GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

270mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 5mA, 6V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-323-3

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