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1214-110M

1214-110M

Solo per riferimento

Numero parte 1214-110M
PNEDA Part # 1214-110M
Descrizione RF TRANS NPN 75V 1.4GHZ 55KT
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.470
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 17 - giu 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

1214-110M Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte1214-110M
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF

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1214-110M Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)75V
Frequenza - Transizione1.2GHz ~ 1.4GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno7.4dB
Potenza - Max270W
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce-
Corrente - Collettore (Ic) (Max)8A
Temperatura di esercizio200°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / Custodia55KT
Pacchetto dispositivo fornitore55KT

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

4.7V

Frequenza - Transizione

46GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.8dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

Guadagno

24dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

180 @ 30mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-82A, SOT-343

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT343-4

MS2206

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Frequenza - Transizione

1.025GHz ~ 1.15GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

10dB

Potenza - Max

7.5W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 100mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

M115

Pacchetto dispositivo fornitore

M115

2SA1790GCL

Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Frequenza - Transizione

300MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

2.8dB ~ 4dB @ 5MHz

Guadagno

-

Potenza - Max

125mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

110 @ 1mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-89, SOT-490

Pacchetto dispositivo fornitore

SSMini3-F3

MMBTH11

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

25V

Frequenza - Transizione

650MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

225mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 4mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3 (TO-236)

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Frequenza - Transizione

800MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3dB @ 100MHz

Guadagno

-

Potenza - Max

280mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 20mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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