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BFS17NTA

BFS17NTA

Solo per riferimento

Numero parte BFS17NTA
PNEDA Part # BFS17NTA
Descrizione RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ SOT23-3
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 25.974
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 12 - mag 17 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BFS17NTA Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBFS17NTA
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
BFS17NTA, BFS17NTA Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 145,42 KB)
PDFBFS17NQTA Datasheet Copertura
BFS17NQTA Datasheet Pagina 2 BFS17NQTA Datasheet Pagina 3 BFS17NQTA Datasheet Pagina 4 BFS17NQTA Datasheet Pagina 5 BFS17NQTA Datasheet Pagina 6 BFS17NQTA Datasheet Pagina 7

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BFS17NTA Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)11V
Frequenza - Transizione3.2GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno-
Potenza - Max330mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce56 @ 5mA, 10V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)50mA
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

2.8V

Frequenza - Transizione

70GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz

Guadagno

10dB ~ 24dB

Potenza - Max

136mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

300 @ 10mA, 2V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-343F

Pacchetto dispositivo fornitore

4-DFP

BFR182WH6327XTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Guadagno

19dB

Potenza - Max

250mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 10mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT323-3

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

4.5V

Frequenza - Transizione

25GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz

Guadagno

20dB

Potenza - Max

135mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 25mA, 2V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-82A, SOT-343

Pacchetto dispositivo fornitore

CMPAK-4

MSC86580

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

400mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

65 @ 15mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

25mA

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-143B

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